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IPD90R1K2C3

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252
数量：
 6155  
说明：
 MOSFET N-Channel MOSFET 500-900V
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IPD90R1K2C3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3XT SP000413720
典型关闭延迟时间：400 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：83000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1200 mOhms
漏极连续电流：5.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD90R1K2C3的详细信息，包括IPD90R1K2C3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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