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IPP023N04N G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220
数量：
 5346  
说明：
 MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRNSTR 40V 90A
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IPP023N04N G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPP023N04NGHKSA1 IPP023N04NGXKSA1 SP000359167
典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：500
上升时间：6.6 ns
功率耗散：167 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7.8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0023 Ohms
漏极连续电流：90 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP023N04N G的详细信息，包括IPP023N04N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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