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IPP029N06NAKSA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220-3
数量：
 2754  
说明：
 MOSFET
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IPP029N06NAKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：30 ns
上升时间：15 ns
功率耗散：136 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：56 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：160 S
下降时间：8 ns
包装形式：Tube
封装形式：PG-TO220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.9 mOhms
漏极连续电流：100 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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