Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPD230N06N G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD250N06N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 1742 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25CN10N G | Infineon Technologies | TO-252 | 1828 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 35A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25N06S240 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD25N06S2-40 | Infineon Technologies | TO-252 | 12224 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 29A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25N06S4L-30 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | 2500 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：25 A，... | ||||||
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IPD26N06S2L35 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD26N06S2L-35 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S2L07 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | TO-252 | 75 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 6.7mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S2L10 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 10mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S2L20 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 20mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD30N03S4L14 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：1 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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IPD30N03S4L-14 | Infineon Technologies | TO-252 | 1876 | MOSFET OPTIMOS T2 N-CH 30V 30A 13.6mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD30N06S215 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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