Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB120N06S4-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲... | ||||||
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IPB120N06S4-H1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：IPB120N06S4H1ATMA1 I... | ||||||
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IPB120P04P4-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -120A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 120 A... | ||||||
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IPB120P04P4L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -120A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 120 A... | ||||||
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IPB123N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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IPB12CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB12CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 67A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB136N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB13N03LB G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB144N12N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1082 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：56 A... | ||||||
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IPB147N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 25V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB14N03LAG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 25 V 30 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S203 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPB160N04S2-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 40V 160A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S2L03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPB160N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 40V 160A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S3H2 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPB160N04S3-H2 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 40V 160 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S4-H1 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲... | ||||||
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IPB16CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 53A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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