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IPB120N06S4-03

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263
数量：
 1881  
说明：
 MOSFET N-Channel 60V MOSFET
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IPB120N06S4-03 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB120N06S403ATMA1 IPB120N06S403ATMA2 SP000415558
典型关闭延迟时间：80 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：167 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：125 nC
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.8 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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