Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSZ0902NS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4040 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，... | ||||||
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BSZ0902NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4282 | MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，... | ||||||
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BSZ0904NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 1651 | MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，... | ||||||
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BSZ0907NDXTMA1 | Infineon Technologies | PG-WISON - 8 | 5000 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：25 A, 30... | ||||||
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BSZ0909NS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4890 | MOSFET N-Channel MOSFET 34V 36A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：34 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：36 A，... | ||||||
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BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 4948 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ100N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 271 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ100N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 398 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | TSDSON | 3381 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 1574 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANS 40V 40A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ110N06NS3 G | Infineon Technologies | TSDSON | 1322 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ115N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ115N03LSCGATMA1 B... | ||||||
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BSZ115N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ115N03MSCGATMA1 B... | ||||||
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BSZ120P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3G... | ||||||
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BSZ120P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ120P03NS3... | ||||||
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BSZ123N08NS3 G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 897 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ12DN20NS3G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 200V 11.3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：11.3 A，电... | ||||||
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BSZ130N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 223 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ130N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 622 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ160N10NS3 G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 4533 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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