Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSO203P H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 2401 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSO203SP | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET P-CH -20 V -8.2 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSO203SP H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 2486 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSO204P | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET Dual P-Channel -20V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：- 7... | ||||||
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BSO207P | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET Dual P-Channel -20V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：- 5... | ||||||
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BSO207P H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 2232 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSO211P | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET Dual P-Channel -20 V -4.7 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSO211P H | Infineon Technologies | MOSFET P-KANAL | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：BSO211PHXT SP0006138... | ||||||
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BSO220N03MD G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO220N03MS G | Infineon Technologies | DSO | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO300N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 5.7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO301SP | Infineon Technologies | DSO | MOSFET P-CH -30 V -14.9 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO301SP H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 4979 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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BSO303P | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET Dual P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 8... | ||||||
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BSO303P H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET P-KANAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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BSO303SP | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET Dual P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 8... | ||||||
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BSO303SP H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 2474 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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BSO330N02K G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET OptiMOS 2 PWR Transt 20V 6.5mA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSO350N03 | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET N-CH 30V 5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO350N08NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：BSO350N08NS3GXT，... | ||||||
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