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BSO211P

厂家：: Infineon Technologies
封装：: DSO-8
数量：: 720
说明：: MOSFET Dual P-Channel -20 V -4.7 A

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BSO211P PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSO211PNT BSO211PNTMA1 SP000012623
典型关闭延迟时间：26.3 ns
工厂包装数量：1
上升时间：10.6 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：23.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.067 Ohms
漏极连续电流：4.7 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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