Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSO094N03S | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，... | ||||||
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BSO104N03S | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET OptiMOS2 PWR-Trnstr N-CH 13A 13.6mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO108N03MSC G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO110N03MS G | Infineon Technologies | DSO | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO119N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 9A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO128N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：BSO128N03MSCGXT BSO1... | ||||||
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BSO130N03MS G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO130P03S | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极连续电流：- 11.... | ||||||
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BSO130P03S H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 2500 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 ... | ||||||
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BSO140N08NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：BSO140N08NS3GXT，... | ||||||
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BSO150N03 | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET N-CH 30V 7.6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO150N03MD G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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BSO180N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：BSO180N10NS3GXT，... | ||||||
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BSO200N03 | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET N-CH 30V 7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO200N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO200P03S | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极连续电流：- 9.1... | ||||||
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BSO200P03S H | Infineon Technologies | MOSFET P-KANAL | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSO200P03SHXT BSO200P03SHXUMA1 S... | ||||||
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BSO201SP | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET P-Channel -20V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：- 1... | ||||||
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BSO201SP H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 2122 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSO203P | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET P-CH -20 V -8.2 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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