Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSC190N15NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3940 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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BSC196N10NS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3794 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 45A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSC200P03LS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET OPTIMOS P-CH -30V -12.5A 20mOhm | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 ... | ||||||
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BSC205N10LS G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSC22DN20NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3624 | MOSFET N-Channel 200V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7 A，... | ||||||
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BSC240N12NS3 G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：37 A... | ||||||
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BSC252N10NSF G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSC265N10LSF G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSC320N20NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4894 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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BSC340N08NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | 16326 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC360N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 150V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GXT SP0007781... | ||||||
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BSC440N10NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSC500N20NS3G BSC500N20NS3GXT，... | ||||||
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BSC520N15NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 2802 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
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BSC600N25NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1098 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲... | ||||||
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BSC750N10ND G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1734 | MOSFET OptiMOS 2 PWR-Trans 100V 13A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSC882N03LS G | Infineon Technologies | SON-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：34 V，闸/源击穿电压：2 V，漏极连续电... | ||||||
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BSC882N03MS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC883N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：34 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC883N03MS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4990 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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