ZXMN2AM832TA

厂家：: Diodes Inc.
封装：: -
数量：: 6056
说明：: MOSFET Dl 20V N Chnl UMOS

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ZXMN2AM832TA PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：1.55 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：2.6 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：1.31 ns
包装形式：Reel
封装形式：MLP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.12 Ohms
漏极连续电流：3.7 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：过渡期间
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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