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ZXMN2B03E6TA

厂家：: Diodes Inc.
封装：: SOT-23-6
数量：: 2808
说明：: MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：33.9 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：6.2 ns
功率耗散：1700 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：6.2 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：40 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：5.4 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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