TSM120N06LCR RLG

厂家：: Taiwan Semiconductor Corporation
封装：: 8-PDFN（5x6）
数量：: 3807
说明：: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

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TSM120N06LCR RLG PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：69W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2116 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36.5 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 10A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：54A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

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