TSM12N02CP

厂家：: Taiwan Semiconductor
封装：: TO-252
数量：: 1881
说明：: MOSFET 20V 12A 60W

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TSM12N02CP PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：R0
典型关闭延迟时间：21.85 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：9.95 ns
功率耗散：60 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：5.35 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.04 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Taiwan Semiconductor

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