TPW3R70APL,L1Q

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: 8-DSOP Advance
数量：: 3303
说明：: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

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TPW3R70APL,L1Q PDF参数资料

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中文参数如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：960mW（Ta），170W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6300 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：67 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7mOhm @ 45A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSIX-H
系列：卷带（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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