TPW5200FNH,L1Q

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: 8-DSOP Advance
数量：: 3348
说明：: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

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TPW5200FNH,L1Q PDF参数资料

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中文参数如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：800mW（Ta），142W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 13A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc）
漏源电压（Vdss）：250 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSVIII-H
系列：卷带（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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