TPW5200FNH,L1Q

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 8-DSOP Advance
数量:
 3348  
说明:
 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
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TPW5200FNH,L1Q PDF参数资料

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中文参数如下:
:150°C
功率耗散(最大值):800mW(Ta),142W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2200 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):52 毫欧 @ 13A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A(Tc)
漏源电压(Vdss):250 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:U-MOSVIII-H
系列:卷带(TR)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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