中文参数如下:
工厂包装数量:3000
上升时间:4.5 ns
功率耗散:1.5 W
下降时间:23 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSSOP-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single Triple Drain Quad Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.8 Ohms
漏极连续电流:1.3 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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