中文参数如下:
工厂包装数量:3000
上升时间:18 ns
功率耗散:1.1 W
下降时间:109 ns
包装形式:Reel
配置:Single Triple Drain Quad Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.012 Ohms
漏极连续电流:11 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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