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中文参数如下:
工厂包装数量:4000
上升时间:6.2 ns
功率耗散:1.35 W
下降时间:17 ns
包装形式:Reel
封装形式:VS-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single Hex Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.059 Ohms
漏极连续电流:3 A
闸/源击穿电压:10 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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