中文参数如下:
工厂包装数量:4000
上升时间:5.6 ns
功率耗散:1.35 W
下降时间:16 ns
包装形式:Reel
封装形式:VS-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.058 Ohms
漏极连续电流:3 A
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPCF8303(TE85L,F)的详细信息,包括TPCF8303(TE85L,F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!