中文参数如下:
典型关闭延迟时间:235 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:36 ns
功率耗散:1 W
栅极电荷 Qg:180 nC
下降时间:625 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOP-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):6.8 mOhms
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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