TPC8115(TE12L,Q,M)

厂家：: Toshiba
封装：: 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
数量：: 855
说明：: MOSFET MOSFET P-Ch 20V 10A Rdson=0.01Ohm

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TPC8115(TE12L,Q,M) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
上升时间：14 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：228 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Source Triple Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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