TPC8113(TE12L,Q)

厂家：: Toshiba
封装：: 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
数量：: 819
说明：: MOSFET MOSFET P-Ch 30V 11A

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TPC8113(TE12L,Q) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
上升时间：6 ns
功率耗散：1.9 W
下降时间：120 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01 Ohms
漏极连续电流：11 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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