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TN0200K-T1-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOT-23-3（TO-236）
数量：
 2817  
说明：
 MOSFET 20V 0.73A 0.35W 0.4ohm @ 4.5V
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TN0200K-T1-E3-SOT-23-3（TO-236）图片

TN0200K-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：TN0200K-E3
典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：20 ns
功率耗散：350 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-236-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：400 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：0.73 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是TN0200K-T1-E3的详细信息，包括TN0200K-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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