TN0200TS

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-236-3
数量:
 198  
说明:
 MOSFET 20V 1.2A 1W
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:21 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:14 ns
功率耗散:1000 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:14 ns
封装形式:TO-236-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):400 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:1.2 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是TN0200TS的详细信息,包括TN0200TS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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