TN0200TS

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-236-3
数量：: 198
说明：: MOSFET 20V 1.2A 1W

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TN0200TS PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：14 ns
功率耗散：1000 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：14 ns
封装形式：TO-236-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：400 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：1.2 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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