TK6P60W,RVQ

厂家:
  Toshiba
封装:
 DPAK
数量:
 8928  
说明:
 MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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TK6P60W,RVQ PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:55 ns
上升时间:18 ns
功率耗散:60 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:12 nC
下降时间:7 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.68 Ohms
漏极连续电流:6.2 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

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