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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：390 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 180μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.05 欧姆 @ 2.9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Ta）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：DTMOSIV
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
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