SUD50N04-09H-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 2763  
说明:
 MOSFET 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V
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SUD50N04-09H-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:2000
上升时间:20 ns
功率耗散:8.33 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:11 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.009 Ohms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUD50N04-09H-E3的详细信息,包括SUD50N04-09H-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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