SUD50N04-16P-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 2772
说明：: MOSFET 40V 20A 35.7W 16mohm @ 10V

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SUD50N04-16P-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：2000
上升时间：120 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：36 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
漏极连续电流：9.8 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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