SUD50N04-8M8P-4GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-252AA
数量:
 3582  
说明:
 MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
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SUD50N04-8M8P-4GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:45 ns
工厂包装数量:2000
上升时间:15 ns
功率耗散:3.1 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:15 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252AA
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0088 Ohms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

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