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SUD50N04-8M8P-4GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252AA
数量：
 3582  
说明：
 MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
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SUD50N04-8M8P-4GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：2000
上升时间：15 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252AA
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0088 Ohms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUD50N04-8M8P-4GE3的详细信息，包括SUD50N04-8M8P-4GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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