SUD19N20-90-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252AA
数量：: 6705
说明：: MOSFET 200V 17.5A 100W

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SUD19N20-90-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：30 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：2000
上升时间：50 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：35 S
下降时间：60 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：90 mOhms
漏极连续电流：19 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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