SUD19N20-90-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-252AA
数量:
 6705  
说明:
 MOSFET 200V 17.5A 100W
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SUD19N20-90-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:30 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:2000
上升时间:50 ns
功率耗散:3 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :35 S
下降时间:60 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):90 mOhms
漏极连续电流:19 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUD19N20-90-E3的详细信息,包括SUD19N20-90-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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