SUD23N06-31-T4-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 2466  
说明:
 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
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SUD23N06-31-T4-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:31 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:21.4A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :670pF @ 25V
功率 - 最大:31.25W
安装类型:表面贴装

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