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SUB85N02-06-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263-3
数量：: 405
说明：: MOSFET 20V 85A 120W

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SUB85N02-06-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：800
上升时间：120 ns
功率耗散：250 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：100 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
漏极连续电流：85 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUB85N02-06-E3的详细信息，包括SUB85N02-06-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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