SUB85N02-06-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263-3
数量:
 405  
说明:
 MOSFET 20V 85A 120W
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SUB85N02-06-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:80 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:800
上升时间:120 ns
功率耗散:250 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:100 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3 mOhms
漏极连续电流:85 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUB85N02-06-E3的详细信息,包括SUB85N02-06-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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