点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:95 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:800
上升时间:90 ns
功率耗散:3.7 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:105 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-263-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.2 mOhms
漏极连续电流:85 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SUB85N06-05-E3的详细信息,包括SUB85N06-05-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!