SUB75P05-08-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263-3
数量:
 369  
说明:
 MOSFET 55V 75A 250W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SUB75P05-08-E3-TO-263-3图片

SUB75P05-08-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:115 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:800
上升时间:140 ns
功率耗散:3.7 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:175 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):8 mOhms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUB75P05-08-E3的详细信息,包括SUB75P05-08-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC