STS8C5H30L

厂家：: STMicroelectronics
封装：: 8-SOIC
数量：: 4293
说明：: MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp

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STS8C5H30L PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns, 125 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：14.5 ns, 35 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：7 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8.5 S, 10 S
下降时间：8 ns, 35 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.022 Ohms
漏极连续电流：8 A, - 5.4 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：+/- 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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