STS8DN3LLH5

厂家：: STMicroelectronics
封装：: 8-SOIC
数量：: 4311
说明：: MOSFET Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr

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STS8DN3LLH5 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21.1 ns
上升时间：4.2 ns
功率耗散：2.7 W
栅极电荷 Qg：5.4 nC
下降时间：3.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15.5 mOhms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：22 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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