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STS8DN3LLH5

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 8-SOIC
数量：
 4311  
说明：
 MOSFET Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr
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STS8DN3LLH5-8-SOIC图片

STS8DN3LLH5 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21.1 ns
上升时间：4.2 ns
功率耗散：2.7 W
栅极电荷 Qg：5.4 nC
下降时间：3.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15.5 mOhms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：22 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STS8DN3LLH5的详细信息，包括STS8DN3LLH5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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