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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:37 ns
上升时间:42 ns
功率耗散:3 W
栅极电荷 Qg:12.9 nC
下降时间:5.2 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):6.25 mOhms
漏极连续电流:15 A
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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