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STS1HNK60

厂家：: STMicroelectronics
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 3564
说明：: MOSFET NPN Transistor

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STS1HNK60 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
上升时间：5 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1 S
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.5 Ohms
漏极连续电流：0.3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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