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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:32 ns
上升时间:7 ns
功率耗散:90 W
栅极电荷 Qg:19 nC
下降时间:18 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3 Ohms
漏极连续电流:4 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:950 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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