STP5NB60

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-220
数量:
 5499  
说明:
 MOSFET RO 511-STP4NK60Z
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STP5NB60 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
上升时间:10 ns
功率耗散:100 W
最小工作温度:- 65 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :4.5 S
下降时间:7 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.8 Ohms
漏极连续电流:5 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics

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