STP18NM60N

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-220-3
数量:
 4753  
说明:
 MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:55 ns
上升时间:15 ns
功率耗散:110 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:35 nC
下降时间:25 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):260 mOhms
漏极连续电流:13 A
闸/源击穿电压:25 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

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