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STP18NM60N

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220-3
数量：
 4753  
说明：
 MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
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STP18NM60N PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 ns
上升时间：15 ns
功率耗散：110 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：35 nC
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：260 mOhms
漏极连续电流：13 A
闸/源击穿电压：25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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