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STP18NM80

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220-3
数量：
 4572  
说明：
 MOSFET N-channel 800 V MDMesh
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STP18NM80 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：96 ns
上升时间：28 ns
功率耗散：190 W
最小工作温度：- 65 C
栅极电荷 Qg：70 nC
下降时间：50 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：295 mOhms
漏极连续电流：17 A
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP18NM80的详细信息，包括STP18NM80厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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