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STP190N55LF3

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220
数量：
 4581  
说明：
 MOSFET N-Ch, 55V-2.9ohms 120A
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STP190N55LF3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：160 ns
上升时间：40 ns
功率耗散：312 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：40 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0037 Ohms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：+/- 18 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP190N55LF3的详细信息，包括STP190N55LF3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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