STH8NB90FI

厂家：: STMicroelectronics
封装：: ISOWATT 218
数量：: 7389
说明：: MOSFET

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STH8NB90FI PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
上升时间：12 ns
功率耗散：80 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：15 ns
包装形式：Tube
封装形式：ISOWATT 218
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.1 Ohms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

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