STH9NC80ZFI

厂家：: STMicroelectronics
封装：: ISOWATT 218
数量：: 7398
说明：: MOSFET SOT-93

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STH9NC80ZFI PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：30
上升时间：16 ns
功率耗散：190 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：42 ns
包装形式：Tube
封装形式：ISOWATT 218
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.9 Ohms
漏极连续电流：9.4 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

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