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STGD3NB60HDT4

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 DPAK
数量：
 6750  
说明：
 MOSFET N-CHAN 6A 600V DPAK
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STGD3NB60HDT4 PDF参数资料

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中文参数如下：
电压 - 集电极发射极击穿（最大）600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）2.8V @ 15V, 3A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）10A
功率 - 最大50W
输入类型标准型
安装类型表面贴装

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