STGD3NB60SDT4

厂家：: STMicroelectronics
封装：: DPAK
数量：: 6768
说明：: IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp

一、本商品被浏览0次.

STGD3NB60SDT4 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2500
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
集电极最大连续电流 Ic：6 A
包装形式：Reel
封装形式：TO-252-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：48 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：6 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：1.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGD3NB60SDT4的详细信息，包括STGD3NB60SDT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：