STGD5H60DF

厂家：: STMicroelectronics
封装：: DPAK
数量：: 6903
说明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

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STGD5H60DF PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：134.5 ns
测试条件：400V，5A，47 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：30ns/140ns
栅极电荷：43 nC
输入类型：标准
开关能量：56μJ（开），78.5μJ（关）
功率 - 最大值：83 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，5A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：20 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

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